时间：2023-01-04 12:55:29来源：法律常识
前言
从第一款氮化镓快充电源量产到如今成百上千款氮化镓新品涌入市场，短短三年时间，整个氮化镓快充电源市场的容量翻了百倍，昔日只有个别第三方配件品牌敢于尝试的氮化镓技术，如今便已成为了一线手机、笔电品牌的主流产品，不得不感叹技术迭代的魅力。
之后的几年里，国产电源芯片企业不仅推出了高频氮化镓控制器，大部分控制器还支持直驱氮化镓功率器件。在此基础上，诸多国产电源芯片厂商纷纷在合封氮化镓芯片领域发力，在一颗芯片中集成了PWM控制器、驱动器以及氮化镓功率器件，大大精简了电源产品开发过程的电路设计，并有效降低了BOM成本，丰富了高集成度的氮化镓电源芯片市场，有利于促进氮化镓快充技术的普及。
根据充电头网不完全统计，目前已有多家厂商推出数十款合封氮化镓芯片，在即将举办的2022（春季）亚洲充电展上，也将迎来东科、茂睿芯、南芯、PI、必易微、杰华特、钰泰、力生美、Elevation、亚成微、通嘉、美思迪赛、华源智信、维普、硅动力、创芯微、强弦共17家知名电源厂商，分享并展示最新推出的合封氮化镓芯片和相关技术分享。
东科半导体(安徽)股份有限公司，成立于2009年10月，主要从事高频高效绿色电源IC和大功率电源IC的设计、生产、制造和销售。是由业界资深专家共同组建，拥有国内、外顶尖人才的技术与产业化队伍。公司总部位于安徽省马鞍山市，技术及销售部门分设于深圳、无锡、青岛、台湾、印度等国内外多个地区。东科着眼于客户需求，立足中国，面向世界，致力于创造完美价值链，服务全球电源IC市场。东科智造，创“芯”前行 Power your future!
公司成立以来，一直坚持自主创新的核心路线，专注技术研发，形成了多项专利壁垒、电源类自供电技术壁垒、多芯片合封技术壁垒的自我保护机制，建成了集研发、设计、封测、销售为一体的综合科技创新体系，旗下所有产品都拥有完整的自主知识产权。东科以优质的产品和专业的服务，树立了良好的品牌形象，积累了科研院校、一流企业等高端客户群体和长期合作伙伴。
10年的精心培育，东科已拥有5100平方米的厂房规模，8条现代化封装生产线，芯片月产量达5千万片。2019年，二期5200平方米厂房即将投入使用，12条封装生产线同时运作，芯片月产量将达到1亿片。同时，公司积极筹建可靠性分析重点实验室，打造集成电路企业平台，服务周边封测企业，为完善区域产业链，推动产业互联互动、协作共赢开辟了航道。
科技浪潮生生不息，芯业发展永不止步。东科不断壮大完善多元管理团队、研发设计团队、技术支持团队。以高瞻远瞩的目光谋篇布局，以开拓进取的气度勇往直前，以人才和技术为坚实两翼，用“务实、精进”的匠心，做“求是、创新”的事业。携手东科，共创国内电源管理IC产业“芯”未来。
DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK025G检测功率管漏极和源极之间的电压VDS,当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。芯片最高支持250KHz开关频率，芯片内部集成氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。
DK025G采用ESOP8封装，可通过PCB铜箔散热，简化散热要求，降低温升。这款芯片广泛应用于高功率密度快速充电器，笔记本电脑，平板电脑和机顶盒等产品的适配器。
DK025G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK025G具备完善的保护功能：输出过压保护(OVP)，VCC过欠压保护，过温保护(OTP)，开环保护，输出过流保护(OCP)等。
东科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化镓芯片，芯片内部集成650V 400mΩ氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。芯片通过内部快速频率折返功能来调制最小峰值电流，达到快速降低开关频率的目的，从而有效降低系统在轻载下的损耗，提升系统的效率。芯片采用130KHz PWM开关频率，可以有效缩小充电器的变压器体积，得到性能和成本的平衡。DK036G内置过热、过流、过压和输出短路、次级开路保护功能，采用ESOP-8封装形式，可通过PCB铜箔散热，简化散热要求，降低温升。可以广泛应用于PD快充和电源适配器。
东科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片，支持45W及以下功率应用。DK045G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当 VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。东科DK045G采用PDFN5*6封装模式，可广泛应用于高功率快充充电器，笔记本平板等适配器以及辅助和待机电源。
DK045G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK045G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温护（OTP）， 开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片，支持65W及以下功率应用。DK065G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当 VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。东科DK065G采用PDFN8*8封装模式，可广泛应用于高功率快充充电器，笔记本平板等适配器以及辅助和待机电源。
DK065G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密 度的产品。DK065G具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC过欠压保护，过温保护（OTP）， 开环保护，输出过流保护（OCP）等。
茂睿芯（深圳）科技有限公司是一家专业的模拟和混合信号集成电路设计、研发、销售与技术服务公司，总部设在深圳。公司由半导体业界资深专家团队创立，其核心成员均具有欧美及国内一流半导体公司丰富工作经验和业绩。
茂睿芯定位于高性能电源管理，致力于特色差异化的产品，目前在大功率PD快充、数据中心电源、新能源BMS、充电桩模块等应用中取得国内领先模拟芯片品牌地位。
MK2787是专为PD快充应用优化的高频QR功率开关。芯片内部集成控制器和650V 480mΩ氮化镓开关管。其很宽的VCC工作电压范围（9V-90V）可以使其覆盖PD/PPS 从3.3V-23V的输出范围而不需要使用额外的绕组或者线性降压电路，简化电源设计。
MK2787针对于能效要求，由于PD快充有多个不同的输出电压，因此采用了自适应的多模式。其在不同负载以及不同输出下，调整工作于DCM/QR。在轻载时则会工作于burst模式，以提升效率。MK2787提供了全面的保护功能,有输出OVP，OPP， VCC OVP，BROWN-IN/OUT，还提供了副边SR短路保护等。芯片可以广泛应用于AC/DC适配器和高功率密度电源。
MK2788是专为PD快充应用优化的高频QR功率开关。采用DFN5*6封装模式，内部集成650V 480mΩ氮化镓开关管。MK2788支持9-90V的宽范围供电电压，可以使其覆盖PD/PPS 从3.3V-23V的输出范围而不需要使用额外的绕组或者线性降压电路。
针对于能效要求，由于PD快充有多个不同的输出电压，因此采用了自适应的多模式。其在不同负载以及不同输出下，调整工作于DCM/QR。在轻载时则会工作于burst模式，以提升效率。MK2788可广泛适用于AC/DC适配器以及高功率密度电源。MK2788提供了全面的保护功能,有输出OVP，OPP，VCC OVP，BROWN-IN/OUT，还提供了副边SR短路保护等。
上海南芯半导体科技股份有限公司，成立于上海浦东张江高科技园区，是一家专注于电源和电池管理的高性能国产半导体设计公司，拥有Charge pump、DCDC、ACDC、有线充电、无线充电、快充协议、锂电保护等多条产品线，基于自主研发的升降压充电、电荷泵和GaN直驱等核心技术，推出了多款明星产品，得到业内广泛认可。
南芯能够提供从AC到电池的端到端快充完整解决方案，产品覆盖10W到200W整个范围。其中电荷泵大功率快充系列产品率先打破国外垄断，通过了国内多个知名品牌手机厂家的严苛认证，并已实现大规模稳定量产；DC/DC类产品在工业类市场取得了丰硕的成绩；无线/有线充电类产品也已经通过车规认证，打入国产汽车前装市场。
南芯拥有强大的研发及系统团队、独立的品质管控团队、以及贴近客户的销售和支持团队，为高质量的产品开发设计保驾护航。南芯也得到了上下游产业链与资本的广泛认可与支持，获得了小米、OPPO，VIVO，中芯聚源、上海集成电路产业基金、红杉资本等的资源和资本加持，极大助力公司持续、快速成长，以及可靠的供货保证。
南芯产品已在小米、荣耀、OPPO、联想、三星、大疆、Anker，紫米等国内外知名品牌的产品中频频亮相，并助力多款产品入驻Apple Store，证明了南芯产品在性能、品质和成本等方面的诸多优势。南芯秉承不断提高，不停创新的企业文化，致力于为客户提供高性能、高品质与高经济效益的系统解决方案。
南芯，为效率而生。
SC3055是南芯高性能SSR 高频QR控制器与GaN功率器件的完美结合，更加利于发挥GaN器件低阻抗、低开关损耗的优良性能；QR工作模式，可支持135kHz开关频率；提高系统的功率密度，满足日趋小型化的需求；特有的降频策略，使得全功率范围获得理想的转换效率。采用SOP-7封装，体积小巧，方便工程师制作样机。这颗芯片可开发成25W以下小功率USB PD、QC快充充电器，也可以开发成AC-DC适配器。
南芯SC3056是一颗高频准谐振反激转换器，具有高能效和高可靠性，源自南芯半导体的SC305x系列。SC3056内部集成650V耐压的氮化镓开关管，可轻松驱驾30W~40W输出功率范围。
SC3056工作在QR和DCM模式下，谷底开通以提高效率；提供自适应的频率折返用于实现全负载范围内的高效率；无负载时，芯片以突发模式运行，降低待机功耗。转换器内置高压启动电路，可实现超低的待机功耗和超快的启动速度。同时集成软启动电路，以及用于超宽输出范围的分段式供电电路。在突发和故障模式下具有超低的工作电流，满足待机能效要求。最高工作频率为175KHz，大幅降低磁性器件的体积和成本。全功率范围具备抖频功能，用以改善EMI性能。
南芯SC3056内置0.36欧姆650V氨化镓功率器件，在宽输入范围下，可支持30W~45W的应用，为USB PD快充与开关电源应用提供高能效小体积的解决方案。可广泛应用于USB-PD和QC快充充电器，也可以适用于AC-DC的电源适配器。
南芯SC3057合封氮化镓芯片将高性能多模式反激控制器、氮化镓驱动、氮化镓开关管、供电和保护等电路集成在一颗散热增强的QFN6*8封装内部。极大减少了外围元器件数量，PCBA面积减少50%以上，并消除传统驱动走线寄生参数对高频开关的影响，使得氮化镓的性能得以进一发挥。
南芯SC3057采用功率走线和控制走线分开的设计，降低高频开关对控制回路的影响，并通过优化的焊盘设计，优化充电器走线设计与电气性能，简化设计开发。南芯SC3057内置165mΩ氮化镓开关管，支持175KHz开关频率，并支持X电容放电，满足65W快充应用。这款芯片可广泛应用于USB-PD和QC快充充电器，也可以适用于AC-DC的电源适配器。
Power Integrations, Inc.是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商，总部位于美国硅谷。 我们所推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。我们的SCALE门极驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动汽车和高压直流输电等。
自1998年问世以来，Power Integrations的EcoSmart节能技术已节省了数十亿美元的能耗，避免了数以百万吨的碳排放。由于我们的产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge赞助的环保技术股票指数下。
SC1933C芯片内置GaN功率器件，支持宽电压输入范围下65W输出。采用InSOP-24D封装，集成高压启动和X电容放电功能，广泛应用于快充充电器，可应用到USB-PD快充设备和快充需求的手机充电器。
SC1933C无需外围元件即可提供精确的恒压/恒流/恒功率，并轻松与外接快充协议接口IC协同工作，因此适用于高效率反激式设计，内置同步整流控制器和反馈，更加节省外部元件。
INN3278C采用InSOP-24D封装。集成高压启动功能，广泛应用于快充充电器。INN3278C是一颗内部集成初级开关，同步整流控制器，反馈和恒功率特性的准谐振反激电源IC。其内部集成750V PowiGaN开关管，支持在密闭环境宽电压范围内输出55W功率。
INN3278C待机功耗小于30mW，支持次级整流管短路保护，支持同步整流管栅极开路检测，具有快速的动态负载响应和输入欠压/过压保护，并且内置完善全面的保护功能。
InnoSwitch3-CP系列器件集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。所提供的器件均支持领存与自动重启动的常用组合，这是快充和USB PD设计等应用所要求的特性。所提供的器件提供输出线压降补偿选项。
主控芯片INN4075C采用InSOP-24D封装。集成高压启动功能，支持最大105W输出。这是新一代InnoSwitch4系列芯片，应用于有源钳位反激架构，可实现主开关管的零电压开关，降低器件温升。同时优化EMI性能，非常适合小体积，高工作频率的开关电源设计。
InnoSwitch4-CZ是零电压开关的集成反激芯片，内部集成750V高压PowiGaN开关、有源钳位驱动、同步整流和FluxLink反馈，与ClampZero有源钳位芯片搭配使用，将漏感能量回收，可实现高达95%的转换效率。
InnoSwitch4-CZ系列器件集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。所提供的器件均支持领存与自动重启动的常用组合，这是快充和USB PD设计等应用所要求的特性。所提供的器件提供输出线压降补偿选项。
芯片MIN1072M采用MinSOP-16A封装，集成高压启动功能，最大支持75W输出，广泛应用于快充充电器。
MIN1072M芯片通过使用MinE-CAP器件，可以使用低压大容量电容与高压小电容组合应用，从而减小滤波电容体积，与PI电源芯片共同使用可减少元件数量，实现高功率密度的开关电源设计。
MIN1072M芯片集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。所提供的器件均支持领存与自动重启动的常用组合，这是快充和USB PD设计等应用所要求的特性。所提供的器件提供输出线压降补偿选项。
深圳市必易微电子股份有限公司拥有半导体领域的资深专家和高效的管理团队，主要从事高性能模拟及数模混合集成电路的研发和销售，在杭州、厦门、上海、中山等地设有研发中心及分支机构。
必易微高度重视知识产权的开发和保护，已拥有多项集成电路和系统应用的国际、国内专利。主营产品包括 AC-DC、DC-DC、驱动 IC、线性稳压、保护芯片、电池管理等，为消费，工业，通讯及计算机等领域客户提供完整电源解决方案和系统集成。
科技改善生活。必易微尊重人才、重用人才，以客户为中心，始终坚持“独特创新、易于使用”的公司理念，创新芯领域，引领芯发展，力争成为全球卓越的芯片设计企业。
KP22062是一款集成GaN FET的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成驱动调节功能，可调节GaN FET导通时驱动速度，优化系统EMI性能。KP22062采用小体积的DFN 5*6mm封装，适用于高频高功率密度的宽输入/输出范围交直流转换器设计。
KP22062的工作频率最高可达500kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片支持超宽 VDD供电范围9-112V。芯片直接检测交流输入电压，可提供快速启动功能，X电容放电功能和小于30mW的待机功耗。
KP22062集成有完备的保护功能，包括: VDD欠压保护(UVLO).VDD过压保护(VDD OVP)、输入欠压保护(BOP)、输入过压保护(LOVP)、输出过压保护(OVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(OLP)、输出过流保护(SOCP)、内置过热保护(OTP)、CS管脚开路保护等。
KP22064/KP22066是集成了GaN FET的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成驱动调节功能，可调节GaN FET导通时驱动速度，优化系统EMI性能。KP22064/KP22066都采用小体积的DFN 8*8 mm封装，适用于高频高功率密度的宽输入/输出范围交直流转换器设计。
KP22064/KP22066的工作频率最高可达500kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片支持超宽VDD供电范围9-112V。芯片直接检测交流输入电压，可提供快速启动功能，X电容放电功能和小于 30mW的待机功耗。
KP22064/KP22066集成有完备的保护功能，包括: VDD欠压保护(UVLO) VDD过压保护(VDD OVP)、输入欠压保护(BOP)、输入过压保护(LOVP)、输出过压保护(OVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(OLP)、输出过流保护(SOCP)、内置过热保护(OTP)、CS 管脚开路保护等。
杰华特微电子股份有限公司成立于2013年3月，注册资本38,880万元，公司是以虚拟IDM为主要经营模式的模拟集成电路设计企业，专业从事模拟集成电路的研发与销售。公司总部位于杭州，在成都、上海、深圳、珠海、厦门、南京、张家港等地设有分支机构。
公司具备包括芯片和系统设计技术、晶圆制造工艺在内的完整核心技术架构。目前公司产品以电源管理模拟芯片为主，在电源管理芯片领域拥有业界领先的全品类产品设计开发能力与产品覆盖广度，并逐步拓展信号链芯片产品，致力于为各行业客户提供高效率、高性能、高可靠性的一站式模拟集成电路产品解决方案。
公司坚持面向全应用领域开发模拟集成电路产品，随着产品数量的积累和技术能力的提升，公司下游应用领域逐渐从消费电子向工业应用、计算机及存储以及汽车电子、通讯电子领域扩展。随着公司的发展，公司同步开发电源管理芯片和信号链芯片，进一步加强面向工业、通讯及汽车电子领域供应高性能芯片的能力。
公司始终坚持“创新技术、自主研发”技术战略，截至2021年9月30日，公司已获得专利365项，其中发明专利118项，集成电路布局设计登记证书49项，此外，公司在申请专利400余项，构建起了较为完善的多品类模拟芯片产品自主研发体系。
公司目前通过ISO9001质量体系认证、ISO14001环境管理体系认证；是高新技术企业、工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、2016浙江省成长性科技型百强企业、杭州市企业高新技术研发中心、杭州市企业技术中心、杭州市专利示范企业。
杰华特JW1565采用 6*8mm WDFN封装，是一款高集成QR模式合封氮化镓芯片，内部集成了650V，260mΩ氮化镓功率器件，最大工作频率为260kHz。QR控制通过降低开关损耗来提高效率，并通过自然频率变化提高 EMI 性能，同时也可以通过内部最大频率限制来克服QR反激的固有缺点。
杰华特JW1565包含一个用于启动的HV引脚，以消除传统的启动电阻并节省待机模式能耗。符合严格的效率法规。此外，当交流输入被移除时，HV引脚用于X电容放电，这有助于减少X电容电损耗并实现极低的待机功耗。
杰华特合封氮化镓芯片JW1566A，在DFN5*6的封装内部集成了反激控制器，氮化镓驱动器和氮化镓功率管，准谐振反激可降低开关损耗，改善EMI，并提高能效。
杰华特JW1566A内置650V耐压，480mΩ氮化镓开关管，芯片支持最高90V供电电压，最高开关频率可达260kHz，内置高压启动电路，具有超低的待机功耗。杰华特JW1566A集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。所提供的器件均支持领存与自动重启动的常用组合，这是快充和USB PD设计等应用所要求的特性。所提供的器件提供输出线压降补偿选项。
钰泰半导体股份有限公司（以下简称“公司”）主要从事电源管理类芯片的研发与销售，致力于向客户提供性能优越、功能丰富、品质稳定的多品类、全系列电源管理芯片及解决方案。公司由美国Maxim顶尖设计人员创立，在上海张江、美国硅谷、越南河内设有研发中心，有国内外近百位芯片研发设计人员；客户支持团队包括售前支持与售后服务，分别在上海、深圳、西安和杭州设有销售中心。
目前，公司已有在售产品覆盖DC/DC功率转换器、AC/DC功率转换器、LDO、电池管理芯片、PMU等电源管理细分领域，广泛应用于智能电表、安防产品、机顶盒、路由器、手机、TWS耳机、移动电源等终端产品，覆盖工业、消费、通信等多个市场领域，是国内少数可以提供全系列电源管理芯片产品的公司之一，也是国内智能电表、安防、手机、机顶盒、路由器、智能穿戴设备等领域的主要电源管理芯片供应商之一。
通过长期自主研发和技术创新，公司在电源管理类模拟芯片所涉及的各个细分领域均形成了强大的技术积累，构建了较为全面的技术架构；公司产品在耐压强度、功率密度、静态功耗等核心指标上持续不断地实现技术突破。
公司在国内市场中率先或较早地推出了强制ZVS/QR宽电压ACDC控制芯片，真关断同步升压芯片，同步开关型充电芯片，1μA超低待机功耗的升压/降压芯片，1‰调光精度LED同步升压背光驱动芯片，超大功率密度SOT563封装的同步COT降压芯片，锂电池充电放电管芯片，电池均衡芯片，集成升压、降压、LDO、充电的多路输出PMU芯片等产品。
钰泰ETA80G20是一颗高性能峰值电流模式控制器，内置1.15Ω D-mode氮化镓开关管，准谐振开关搭配频率折返提升EMI表现并提升效率，满足六级能效标准。
ETA80G20采用QR/CCM多模式运行，具有超低的待机功耗，优秀的动态响应和精确电压调节。芯片内置快速启动功能。ETA80G20集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。ETA80G20满足24W应用，非常适合在20W 迷你PD快充中使用，温升较低。
钰泰半导体ETA80G25采用SSOP10封装，内置650V耐压，850mΩ D-mode氮化镓开关管。内部开关管漏极连接大面积铜箔散热，可实现良好的散热并满足绝缘耐压要求。
ETA80G25支持90-264V输入，支持27W功率输出。芯片支持CCM/QR/DCM运行模式，满载最高开关频率80kHz，轻载下支持频率折返控制，可实现全功率范围内的高效率。ETA80G25集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。所提供的器件均支持锁存与自动重启动的常用组合，这是快充和USB PD设计等应用所要求的特性。所提供的器件提供输出线压降补偿选项。
力生美半导体 ( Lii Semiconductor ) 是一家专注于电源/功率管理集成电路设计、销售与技术服务的国家级高新技术企业，2010年成立于深圳，总部位于深圳市南山智园崇文园区内，并在苏州设有企业研发中心，在慈溪/顺德/东莞设有技术支持服务中心，力生美始终致力于为客户提供高效能、高可靠性、高可用性的系列开关电源IC产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，为电子电器厂商赋能，助力提高用户的综合竞争力。
依托公司领先的技术创新能力和多年的技术积累，先后在市场上推出多款具有领先优势的产品系列，包括交流过零PWM开关系列、大功率内置开关TSIP7封装系列、130kHz内置MOS高频PSR系列、PDPAK8内置MOS大功率PWM开关系列等，产品覆盖家电、充电器、适配器、电动工具、快充、网通、IOT等领域。
目前在售产品已覆盖0-120W多种功率等级开关电源IC及解决方案，获得市场与用户的广泛认可，2022年力生美还将推出大功率的谐振电源IC及第三代半导体技术的内置氮化镓GaN产品系列。
我们将始终秉持科技创新导向，致力于为市场提供节能高效的功率管理IC产品，助力降低碳排放，为建设更加美好的地球而努力。
LN9T28xF是一款高性能、高度集成的电流模式 PWM 控制器，内部集成了700V氮化镓功率器件，可轻松构建低待机功耗、低成本、高性能的解决方案，以满足应用中的 CoC V5 和 DoE VI 能效。
芯片PWM开关频率由芯片内部设定，具有全温度补偿，最大值设置为130kHz。在空载或轻载条件下，集成电路可工作于智能中断模式，以降低开关损耗，从而在具有较低待机功耗的同时实现良好的转换效率。
低 VDD 启动电流和工作电流使 LN9T28xF 具有非常高的可靠性和使用寿命。可以使用阻值较大的电阻来完成电路的启动，这样也降低了启动电阻的损耗，进一步降低了系统待机功耗。LN9T28xF 还提供了一个非常全面的自动恢复保护电路，包括逐周期电流限制 (0CP)、具有高低压补偿的输出过载保护 (OLP)、VDD 过压钳位和欠压锁定 (UVLO) 。
Elevation是一家高能效电源转换芯片的供应商，主要从事高能效电源管理芯片的研发和销售。公司由从事电力电子半导体的资深专家带领，研发团队核心成员主要来自仙童和Power Integrations，团队成员均拥有20年以上的设计开发经验，目前团队还在快速发展。
Elevation的产品可广泛应用于通讯、工业、家电、消费电子等领域。目前公司已率先推出行业领先的高集成GaN (氮化镓)功率器件的快充解决方案。
Elevation坚持以客户为中心，用芯提供创新方案，助力全球电气化新发展！
HL9550/HL9552/HL9554都采用小体积的QFN 5*6mm封装，适用于高频高功率密度的宽输入/输出范围交直流转换器设计。适用于高效率反激设计，集成高压启动和X电容放电功能，HL9550最大功率支持65W，HL9552最大功率支持45W，HL9554最大支持30W。广泛应用于快速充电器和适配器。
HL9550系列合封芯片是一款反激式PWM控制器，可在准谐振（QR）模式和连续导流模式（CCM）下工作，从而提高系统效率和功率密度。HL9550系列芯片内置650V GaN FET功率管，提供高效率解决方案，并具有宽VDD工作范围，可覆盖可变输出模式应用，支持USB-PD PPS或传统的DP/DN协议通信。
亚成微电子股份有限公司，成立于2006年，是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司 ，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。2014年1月在新三板挂牌（股票代码：430552）。
亚成微专注高速功率集成技术设计领域，拥有业内领先的“高速功率集成技术平台”，已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包括跟踪芯片（ET）、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片 以及 功率MOSFET 在内五大产品线，可被广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。
在USB PD快充领域，亚成微致力于为客户提供高可靠性的高功率密度快充解决方案，目前已推出应用于大功率快充的高集成度合封氮化镓电源芯片RM6820NQ/RM6604ND系列，以及 E-Mode GaN FET直驱ZVS开关电源芯片RM6801系列和CCM/QR开关电源芯片RM6601系列；应用于中小功率的全新升级版 自供电双绕组开关电源芯片RM673X系列（集成亚成微超结MOS-RMX65R系列）；同时新一代大功率同步整流方案RM343X系列也已进入量产阶段（最高350KHz工作频率，支持200Ｗ快充输出功率），完美适用于百瓦级以上氮化镓快充产品，将有效提升快充产品功率密度并降低厂商的物料成本。
RM6820NQ是一款内置650V GaN FET，高性能高可靠性电流控制型PM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，专有ZVS技术降低GaN FET开关损耗,提高产品效率及功率密度,改善产品EMI。
RM6820NQ集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在R模式，并采用专有ZVS技术，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6820NQ采用专有的驱动技术，搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6820NQ本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。
RM6820NQ同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括 VCC OVP，内置OTP过热保护，外置OVP，欠压锁定(uvlo)，逐周期过流保护OCP，过载保护(OLP)，CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿和ZVS线电压补偿。
RM6820NQL是一款内置650V GaN FET，高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式，专有ZVS技术降低GaN FET开关损耗，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。
RM6820NQL同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VOC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定(uvlo) ，逐周期过流保护OCP，过载保护(OLP)，CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿和ZVS线电压补偿。
亚成微RM6604ND/NDL是一款集成了650V GaN FET、氮化镓驱动器、驱动保护以及高压启动的氮化镓功率集成电源芯片，CCM/QR反激运行模式，支持最大36W快充，全电压范围内待机功耗小于 65mW，满足六级能效标准，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点，满足快充电源小型化设计要求。此外，芯片采用DFN5*6封装，成本更为优异。
亚成微RM6604ND/NDL集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130Khz/85KHz的 PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率。
RM6604ND同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括 VCC OVP，内置0TP，外置OVP，欠压锁定(uvlo)，逐周期过流保护OCP，过载保护(OLP)，CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。
RM6604NDL采用专有的驱动技术，搭配高压 GaNFET功率器件改善EMI设计；在轻载或空载情况下，系统工作在BurstMode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6604NDL本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有的抖频工作模式，以改善EMI。
RM6604NDL同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP，内置OTP，外置OVP，欠压锁定(uvlo)，逐周期过流保护OCP，过载保护(OLP)，CS短路保护，输出整流管短路保护等，并内置斜坡补偿。
RM6604NDQ是一款内置650V GaN FET，高性能高可靠性的电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准,QR工作模式，提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。
RM6604NDQ集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频130Khrz 的PWM模式下；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗.同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6604NDQ采用专有的驱动技术，搭配高压GaNFET功率器件改善EMI设计：在轻载或空载情况下，系统工作在 Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6604NDQ本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。
RM6604NDQ同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括 VCC OVP，内置0TP，外置 OVP，欠压锁定(uvlo)，逐周期过流保护OCP，过载保护(OLP)，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿。
通嘉科技做为独立的电源管理IC供应商，从「绿色电源，珍爱地球」的愿景出发，聚焦于ACDC中大功率最佳完整解决方案，用心了解环卫议题与产业趋势的变化，致力碳中和净零目标，透过领先的技术专利，与合作伙伴的共同努力，布局全球，将科技与环卫结合，不断创新。
通嘉科技的产品涵盖通信手机、网路设备、笔记本、电视、民生消费品等多元商业市场，提供完整的一站式服务方案与产品，让生活充满电力！
LD966L/M是为驱动GaN FET设计的高频高性能PWM控制器。芯片集成高精度GaN FET 驱动，可调节GaN FET导通时驱动速度，优化系统EMI性能，芯片内部集成650V氮化镓开关管。LD966L/M采用小体积的QFN8*8封装，适用于高频高功率密度的宽输入/输出范围交直流转换器设计。可以广泛应用于AC/DC适配器和储能电池。
LD966L/M的工作频率最高可达227kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片直接检测交流输入电压，可提供快速启动功能，X电容放电功能和700V的高压启动。LD966L/M集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。
MIX-DESIGN(美思迪赛半导体技术有限公司)是一家技术领先的模拟和数字混合信号半导体设计企业。基于全球先进的半导体工艺制程和技术专注于功率半导体器件的研发、测试、销售等环节。
公司成立于2009年，总部位于苏州工业园区独墅湖高教区，公司的主要产品为高性能整合式AC-DC电源控制芯片及相关产品。研发成员均来自于该领域国内外著名的半导体厂商，核心成员具备深厚的集成电路设计及管理经验。
公司的核心价值是：为客户提供稳定、可靠同时具备卓越性价比的产品和解决方案，与客户共同保持市场竞争优势。为保证产品参数的精确一致性，公司成立之初即自行投资设立先进的芯片中测（CP Test）、成品测试(FT)测试生产线，以及完备产品可靠性和品质异常分析检测设备系统，为公司产出的每一颗芯片提供有力的品质保证。
美思半导体MSG7511x属于SimpleGaN系列，这是一款高性能 AC-DC电源控制器，内部集成了准谐振 (QR) 控制器，650V高性能氮化镓功率器件，用于构建峰值电流模式 PWM 反激式电源，针对高性能、低 EMl、低待机功耗和许多关键的内置保护功能进行了优化。它无需传统的二次反馈电路即可实现严格的多级恒压和多级恒流调节，还无需环路补偿元件，同时在所有工作条件下保持稳定性。这款芯片可广泛应用于AC/DC的快充和智能手机。
MSG7511x集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。适用于快充电源适配器，可用于手机，笔记本电脑等便携设备。
2018年，华源智信半导体（深圳）有限公司正式成立，该公司位于深圳市南山区南山科技园。华源智信半导体是一家行业领先的模拟和数模混合IC产品供应商，聚焦显示领域的电源芯片。公司核心人物来自于iWatt、Dialog和PI公司，拥有丰富的数字电源管理经验以及设计技术积累。
目前，该公司深耕于电源管理、数字电源以及家用电器电源管理等应用领域，致力于为客户提供高性能、高品质、客制化的工业与消费电子产品解决方案，以打造成为从交流到直流一体化高效智慧节能的综合电源管理解决方案供应商。
华源半导体HYC3601E/H内置智能多模式数字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/QR突发运行模式，以获得效率和性能的平衡。芯片采用SOP7封装。芯片内部集成增强型高压氮化镓开关管，数字多模式反激控制器，通过合封的方式消除寄生参数对高频开关造成的干扰，并减小外部元件数量，为氮化镓快充提供精简高效的电源方案。
HYC3601E/H内置自适应氮化镓栅极驱动器，可平衡开关损耗和EMI，抖频功能可改善EMI性能。芯片采用副边反馈，满足快充所需的宽电压范围输出。内置有丰富的保护功能，包括VCC供电过压保护、变压器磁饱和保护、取样电阻短路保护、过热保护、过载保护，输出过电压保护。
HYC3603601E/H待机功耗小于75mW，具有低启动电流。并支持频率反向控制技术，能够提升高压输入的转换效率。可用于充电器、USB PD快充，电视机及显示器待机电源、笔记本适配器等应用，提高能效并降低成本。
华源半导体合封氮化镓芯片HYC3602E/H采用ESOP-8封装，兼顾成本和散热，内置氮化镓，贴合市场需求；在90Vac输出时，满载效率≥91.5%， 230Vac满载效率≥ 93%，同时该芯片还具有LPS、OTP等多种保护功能。
HYC3602E/H待机功耗小于75mW，具有低启动电流。并支持频率反向控制技术，能够提升高压输入的转换效率。可用于充电器、USB PD快充，电视机及显示器待机电源、笔记本适配器等应用，提高能效并降低成本。
华源半导体HYC3605E/H内置智能多模式数字控制，支持支持CCM/DCM/PFM突发运行模式，以获得效率和性能的平衡。芯片采用ESOP8封装，体积小巧。芯片内部集成高压氮化镓开关管，数字多模式反激控制器，通过合封的方式消除寄生参数对高频开关造成的干扰，并减小外部元件数量，为氮化镓快充提供精简高效的电源方案。
HYC3605E/H内置自适应氮化镓栅极驱动器，可平衡开关损耗和EMI，抖频功能可改善EMI性能。芯片采用副边反馈，满足快充所需的宽电压范围输出。内置有丰富的保护功能，包括VCC供电过压保护、变压器磁饱和保护、取样电阻短路保护、过热保护、过载保护，输出过电压保护。
HYC3605E/H待机功耗小于75mW，具有低启动电流。并支持频率反向控制技术，能够提升高压输入的转换效率。可用于充电器、USB PD快充，电视机及显示器待机电源、笔记本适配器等应用，提高能效并降低成本。
华源半导体HYC3606E/H内置智能多模式数字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/突发运行模式，以获得效率和性能的平衡。芯片采用ESOP8封装，体积小巧。芯片内部集成高压氮化镓开关管，数字多模式反激控制器，通过合封的方式消除寄生参数对高频开关造成的干扰，并减小外部元件数量，为氮化镓快充提供精简高效的电源方案。
HYC3606E/H内置自适应氮化镓栅极驱动器，可平衡开关损耗和EMI，抖频功能可改善EMI性能。芯片采用副边反馈，满足快充所需的宽电压范围输出。内置有丰富的保护功能，包括VCC供电过压保护、变压器磁饱和保护、取样电阻短路保护、过热保护、过载保护，输出过电压保护。
HYC3606E/H待机功耗小于75mW，具有低启动电流。并支持频率反向控制技术，能够提升高压输入的转换效率。可用于充电器、USB PD快充，电视机及显示器待机电源、笔记本适配器等应用，提高能效并降低成本。
华源半导体HYC3655 E/G/H/X系列内置智能多模式数字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/突发运行模式，以获得效率和性能的平衡。芯片可采用DFN6×8封装，体积小巧。芯片内部集成高压氮化镓开关管，数字多模式反激控制器，通过合封的方式消除寄生参数对高频开关造成的干扰，并减小外部元件数量，为氮化镓快充提供精简高效的电源方案。
HYCHYC3655 E/G/H/X系列内置自适应氮化镓栅极驱动器，可平衡开关损耗和EMI，抖频功能可改善EMI性能。芯片采用副边反馈，满足快充所需的宽电压范围输出。内置有丰富的保护功能，包括VCC供电过压保护、变压器磁饱和保护、取样电阻短路保护、过热保护、过载保护，输出过电压保护。
HYC3655E/G/H/X系列支持650V的高压启动，并支持频率反向控制技术，能够提升高压输入的转换效率。可用于充电器、USB PD快充，电视机及显示器待机电源、笔记本适配器等应用，提高能效并降低成本。
深圳维普创新于2014 年成立于深圳，是一家专注于电源管理相关数模混合IC设计公司。产品涵盖了DC-DC功率转换、锂电池充电 BMS，无线充电，电荷泵快充，PD快充协议、 BLDC电机控制，等电源管理和信号处理领域。产品适用于消费性终端产品、手机，通信等领域。目前维普创新的高性能IC产品 ，已广泛的应用在各个领域众多国内外知名品牌如 Motorola，英国电信，美的，中兴，Philips等产品中。
随着持续的技术聚焦，和新产品拓展，经过多年的技术沉淀，维普产品具备了和TI, NXP, 瑞萨等国外大厂同台竞技的实力。 努力开拓新的工业，汽车等领域，正在迈向更精深的 SOC 芯片设计公司。
WP4001采用了QFN-26封装模式，内置高压启动和X电容放电，可以应用到最大功率65W的充电器，支持650V的高压启动，最大工作频率为500KHz，降低变压器和输出滤波电容的体积。可以广泛应用于QC快充和PD快充，也可应用于手机和电脑的电源适配器。
WP4001运行在QR/DCM模式下，谷底开通以获得高转换效率和更佳的EMI表现，空载状态下芯片会进入突发模式降低功率损耗。芯片内置过热保护等多种保护功能，采用QFN8*8封装获得良好的散热性能。
无锡硅动力微电子股份有限公司成立于2003年6月，2007年2月完成股份制改造，注册资金5500万元。公司坐落于无锡市国家级高新技术产业开发区，占地30亩，建筑面积5000平米，距离苏南硕放国际机场7公里，距离高铁车站2公里，交通便利，物流发达。为更好的服务广大客户，在深圳设立了分公司。
硅动力拥有一支具有国内外技术开发、经营管理经验的优秀人才队伍，是工信部认定的集成电路设计企业，省科技厅认定的江苏省高新技术企业，拥有省、市两级工程技术中心。公司聘请了中国工程院院士许居衍先生为公司首席科学家。
公司拥有先进的集成电路设计及测试平台，充分发挥数模混合及系统集成的技术优势，以市场为导向，开发拥有自主知识产权的优质电源管理集成电路产品，产品包含AC/DC、DC/DC、多节锂电池保护芯片、高精度模拟检测控制开关等绿色电源管理芯片，可广泛应用于智能手机快速充电器、5G通信适配器、智能电表、小家电、智能家居等领域。截至2021年12月，公司累计获得发明和实用新型专利111项、正在受理专利31项、集成电路布图设计权85项。
历年来硅动力曾获多项荣誉，荣获工信部“十年中国芯（2001-2010）---优秀设计企业奖”；先后5次荣获电子工程专辑“IC设计公司成就奖”；多次荣获“无锡市十大优秀设计企业奖”“无锡市十强IC设计企业”。
公司多款产品荣获行业奖项。如《应用于手机/MP3的FM接收芯片》、《高速红外数据传输芯片》、《LED开关调色温专用控制电路SP5432F》分别获得第1届、第4届、第11届“中国半导体创新产品和技术奖”；《内嵌USB的高保真多格式音频解码芯》获工信部第六届“中国芯”最佳潜质奖；硅动力旗下SP2738CF电源转换芯片获得2021年工信部第十六届“中国芯”芯火新锐产品奖。
公司产品坚持自主创新，同时与浙江大学、东南大学等国内著名高校进行产、学、研合作。在2013年起与浙江大学建立了硅动力电源管理芯片联合实验室，于2019年起与东南大学建立了宽禁带半导体材料和器件联合研发实验室。在高频、高功率密度开关电源控制技术和氮化镓新型功率器件领域开展技术合作，在人才培养、前沿芯片设计技术及专利技术的产业化方面进行深层次的合作。2016年12月，公司受邀成为浙江大学微电子学院理事会首批会员企业。
硅动力真诚欢迎从事微电子事业的人士加盟，倡导“拒绝平庸，创造精品”的经营理念，希望与国内外的企事业单位及各界友好人士携手发展、共创未来。
SP9686E是一款高集成，高性能的准谐振PWM控制电路，具有低功耗、宽电源电压特点，适合应用在PD充电器方案。芯片采用了ESOP7封装。
该控制器同时也是一款兼容低成本、高性价比的离线反激式电路，内部集成650V 450mΩ GaN。谷底锁定工作模式确保在稳定的谷底工作，降低系统噪声，随着负载降低，第6谷底后，IC切换为无谷底锁定模式，降低开关损耗。当负载进一步降低，芯片工作在跳频模式，使待机功耗最小化。在整个负载范围内都有比较高的转换效率。
SP9686E提供了完整的保护，包括逐周期过流保护(OCP)，过载保护(OLP)，外部过温保护(OTP)，输出短路保护(SCP)，输出过压和VDD过压保护。IC内部工作顿率控制技术使得23KHz频率以下的能量最小化，来避免工作时产生的噪声。
SP9689E是一款高集成，高性能的准谐振PWM控制电路，具有低功耗、宽电源电压特点,适合应用在PD充电器方案。芯片采用了ESOP10封装，内部集成650V 250mΩ氮化镓开关管。
该控制器同时也是一款兼容低成本、高性价比的离线反激式电路，内部集成650V GaN。具有高压启动,X电容放电功能。谷底镇定工作模式确保在稳定的谷底工作，降低系统噪声，随着负载降低,第6谷底后，IC切换为无谷底使定模式，降低开关损耗。当负载进一步降低，IC工作在跳频模式，使待机功耗最小化。在整个负载范围内都有比较高的转换效率。
SP9689E提供了完整的保护，包括逐周期过流保护(OCP)，过载保护(OLP)，外部过温保护(OIP)，输出短路保护( SCP)，输出过压和VDD 过压保护。IC内部工作频率控制技术使得23KHz频率以下的能量最小化，来避免工作时产生的噪声。
深圳市创芯微微电子有限公司成立于2017年5月，是一家专注于高精度、低功耗电池管理及高效率、高密度电源管理芯片研发和销售的集成电路设计公司，公司总部位于深圳市龙岗区宝龙科技城智慧家园，在珠海和西安设有研发中心，在上海设有分公司。公司创始团队来自全球知名IC设计公司，核心团队拥有超过15年以上电池管理芯片（BMS）和电源管理芯片（PMIC）设计、研发和生产测试经验。目前已获得发明专利、实用新型专利、布图设计共57项，18项在申请中，具有ISO9000质量管理体系认证，知识产权贯标认证，是国家级高新技术企业，工业和信息化部第三批专精特新“小巨人” 企业。
创芯微专注于电池管理和电源管理芯片开发，目前电池管理芯片已覆盖从1节至14节，从全保护到次级保护等所有产品系列和应用领域，成功导入OPPO、一加、哈曼、小米、莱克、宜家、沃尔玛等多家国内外一流客户并大批量使用，成为业界标杆产品，为客户提供安全、稳定、可靠的高性价比电池管理解决方案。2021全年销售目标产值3亿元，获得行业认可，已聘请国内一线券商、会计师、律师进行现场尽职调查，展开上市相关工作，进展顺利。未来三年致力成为国内第一、国际领先的电池及电源管理芯片及方案供应商。
CM1777G是一款集成 GAN 650V的氮化镓快充芯片，采用ESOP-6封装。适用于高频高功率密度的宽输入/输出范围交直流转换器设计。具备适用于高效率的反激设计，最大功率支持33W，广泛应用于USB-PD快速充电器和电源适配器。CM1777G集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。
CM1778G是一款集成 GAN 650V的氮化镓快充芯片，采用ESOP-10封装。适用于高频高功率密度的宽输入/输出范围交直流转换器设计。具备适用于高效率的反激设计，最大功率支持65W，广泛应用于USB-PD快速充电器和电源适配器。CM1778G集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。
JPX 是一家用于智能电源管理的 IC 设计公司，利用高压工艺来包含数字控制和实时保护功能，从而降低客户系统成本、提高功率因子并提高效率。
产品被台达、创维、晶元等国际大厂采用，并获得国内多项经济部奖励和补贴，并入选JPX为国家重点企业。近期，JPX与多家国际厂商在GaN HEMT、智能电源、USB-PD等技术开发方面展开合作，提供最优的电源系统解决方案。JPX立志于提供最好的系统整体解决方案、技术服务，成为国内行业未来电源管理的先行者。
JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150系列为AC/DC转换应用提供了高度集成的解决方案，芯片内部集成650V增强型氮化镓开关管，可以有效控制成本和外围元件数量，待机功耗极低。芯片都采用了QFN8*8封装方式，具备高压启动，支持最大输出功率分别为40W，65W和100W，适用于快充充电器。
JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150在100~500 kHz的高频下稳定工作，减小变压器和输出电容体积，因此模块尺寸和重量明显减小，功率密度比传统开关电源高。JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150系列集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。
JP8020B165、JP8020B365系列为AC/DC转换应用提供了高度集成的解决方案，集成启动开关，可以有效控制成本和数量，待机功耗极低。芯片都采用了QFN8*8封装方式，具备高压启动，支持最大输出功率分别为40W和65W。广泛应用于快充充电器，也可运用于手机和笔记本电商的电源适配器上。
JP8020B165、JP8020B365在100~500 kHz的高频下稳定工作，使变压器和输出电容收缩，因此模块尺寸和重量明显减小，功率密度比传统开关电源高。JP8020系列集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。
充电头网总结
氮化镓技术在消费类电源产品中的大规模商用，充电器的效率得到优化，体积得到大幅降低，便携性更好，深受消费者青睐；目前各大手机、笔电品牌君已经入局了氮化镓快充市场，加上国家十四五计划对第三代半导体技术的扶持，氮化镓快充市场前景十分可观。
合封氮化镓芯片的出现，一颗芯片完成了此前需要三颗芯片才能实现的功能，从根本上解决了氮化镓功率器件在控制、驱动方面的难题，简化了快充电源的设计，并降低电源厂商的成本。通过汇总统计可见，将有17家电源芯片厂商带来40余款合封氮化镓芯片，可以满足大功率宽输出电压电源产品的设计。
亚洲充电展（Asia Charging Expo）简称ACE，由充电头网发起。亚洲充电展立足现代化国际都市群粤港澳大湾区，是全球影响最为广泛的能源电子技术展会之一，也是亚洲屈指可数的充电行业技术产业盛会。得益于专业性强、参展商和观众覆盖精准，亚洲充电展在全球享有相当高的知名度。现已成为了全球各大电源企业发布产品信息和展示最新技术的窗口。 近年来，亚洲充电展吸引着来自全球数千家企业参与，覆盖快充、无线充、储能、新能源等领域，尤其是在推进快充、无线充技术的应用与普及，亚洲充电展对行业贡献深受赞誉。众多行业人士已经将这一展会规划为每年重要行程。
